Российские учёные представили дорожную карту развития литографии до 2037 года

Институт физики микроструктур Российской академии наук (РАН) представил амбициозную дорожную карту развития чипмейкерства в России до 2037 года. В отличие от традиционных подходов, используемых компанией ASML, российские учёные предлагают инновационный путь, основанный на гибридных твердотельных лазерах и источниках света на основе ксеноновой плазмы с длиной волны 11.2 нм. 💡 Одним из ключевых отличий предложенной технологии является использование ксенона вместо олова, что позволяет избежать повреждения фотошаблонов. Это открывает новые перспективы для отечественной микроэлектроники. 🚀 Дорожная карта разделена на три основных этапа: — До 2028 года планируется создать станок с технологическими характеристиками: степпинг 40 нм, точность наложения 10 нм и поле засветки 3 × 3 мм. Производительность такого станка составит 5 пластин в час. — До 2032 года учёные намерены перейти на технологический процесс 28 нм, внедрить четырёхзеркальную оптическую систему и достичь точности наложения 5 нм. Производительность станка увеличится до 50 пластин в час. — К 2037 году планируется создать литограф с технологическим процессом 10 нм, оснащённый шестизеркальной оптической системой и точностью наложения до 2 нм. Поле засветки составит 26 × 2 мм, а производительность достигнет 100 пластин в час. Реализация даже части этих планов может стать значительным прорывом для российской микроэлектронной промышленности. 💪